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《半导体信息》2019年04期

 
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企业指南
2000亿传国家大基金二期募资方案确定1国内外半导体技术与器件
Qorvo:5G时代射频前端的变化1-3
UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两个650V SiC FET封装3-4
具有低封装电感的600V和650V MOSFET4-5
Vishay推出的新款60V MOSFET 是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件5
ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”5-6
Skyworks针对军用及航空航天推出两款新型放大器7
Akoustis宣布预生产首款5.6GHz Wi-Fi BAW滤波器7-8
CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果8-11
Marktech利用新的InGaAs PIN光电二极管扩展了SWIR传感器11
Nexperia率先推出以SOT23封装的175℃二极管及晶体管11-12
Power Integrations发布基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC12
Wolfspeed推出1200V 450A全SiC半桥功率模块13
紫光展锐携手罗德与施瓦茨完成5G毫米波芯片关键技术测试13-14
罗德与施瓦茨扩展其射频和微波信号发生器的频率范围至67GHz14-15
借力新型封装欧司朗最新高功率LED今年年末上市15-16
喷墨打印OLED面板要来 日本或在2020年实现商用16-17
三星:GAA FET与EUV是半导体领域下一代重要突破17-18
台积电:摩尔定律还活着,晶体管密度还可更进一步18-20
增强版7nm和5nm工艺台积电称客户已经可以用了20市场动态
Gartner报告:2019年全球半导体收入将同比下滑9.6%21
5G推升需求GaAs射频器件2020年总营收将达64.92亿美元21-22
5G时代,GaN毫米波器件所面临的挑战22-23
射频前端发展状况24-27
SiC功率半导体市场将起飞电动车领域为主要驱动力27-28
功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍 GaN翻至60倍28-29
预计2026年宽禁带半导体将占汽车功率市场的20%29
碳化硅市场前景广阔罗姆有何应对之策29-32
向复合半导体技术进军欧洲GaN发展战略32-34
存储芯片价格1周内猛涨15% 韩日争端或导致全球供应中断34-35
日本制裁咄咄逼人 三星放弃220多种日产材料35-36
英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成36-37
英飞凌氮化镓解决方案投入量产37-38
良率超70%和辉光电6代AMOLED产线已量产出货38-39
士兰微厦门12英寸产线主体施工已进场 先进化合物半导体项目工艺设备陆续安装39
实现30万只IGBT模块生产 合肥中恒微半导体首期投产39
台积电5纳米工艺明年量产苹果A14处理器率先尝鲜40
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