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《半导体信息》2020年01期

 
目录
企业指南
商务部:将集成电路设计纳入国家科技计划支持范围1
国际电联启动6G研究工作1-2国内外半导体技术与器件
实现通信系统的性能突破Qorvo宽带GaN功率放大器面市2-3
安森美与Transphorm达成合作共同开发基于氮化镓(GaN)的电源系统方案3-4
倍思推出全球首款氮化镓(GaN)+碳化硅(SiC)充电器4
CES2020:AUKEY发布100W氮化镓迷你PD快充5
纳微半导体65W氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用5-6
三安与Plextek RFI合作设计5G砷化镓MMIC6-7
英飞凌推出基于PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET7-8
性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600V CoolMOS S7超结MOSFET8
更可靠更高效英飞凌650V CoolSiCTM MOSFET问市9
Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度10
Vishay高效80V MOSFET实现最佳优值系数10-11
MagnaChip推出无线耳机充电保护的MOSFET11
安世半导体低RDS(on)功率MOSFET问市树立25V、0.57mΩ新标杆11-12
埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管效率为业界最高12
导通电流密度突破50A/cm~2新型IGBT诞生13-15
大功率高效率Vixar新款10W VCSEL芯片使3D传感如虎添翼15-16
高通ultraSAW滤波器技术大幅提升2.7GHz以下频段的射频性能16-17
中国首个自主研发5G微基站射频芯片流片成功17-18
对话Soitec:拓宽Smart Cut技术应用范围为解决SiC产业难题提供思路18-21
专访Cree CEO Gregg Lowe:SiC的前景一片光明21-23
2019年半导体产业十大热点事件23-28市场动态
半导体产业将在2020年得到复苏28-29
2021年半导体新增产能有望创新高29
IC Insight:半导体研发投入未来五年将持续增长30
新兴科技驱使半导体回暖30-31
氮化镓市场空间持续拓展32
氮化镓充电器站上风口2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元32-33
2020半导体行业趋势 射频前端器件:量价齐升33-35
GaN产品今年或将爆发 小米、华为、苹果等大厂纷纷布局35-36
台积电携手意法抢车用GaN代工市场37
中国电科(山西)碳化硅材料产业基地顺利投产38
总投资150亿元的半导体项目签约江苏无锡38-39
江苏天科合达半导体碳化硅项目投产仪式顺利举行39
第三代半导体电力电子器件龙头企业泰科天润落户中关村顺义园39-40
总投资3亿元的碳化硅功率半导体项目落户江苏徐州40
总投资25亿元 博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目开工40
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