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《半导体信息》2019年01期

 
目录
国内外半导体技术与器件
MACOM推出具有安装灵活性,10W宽带,多级GaN-on-Si功率放大器模块 1-2
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管 2-4
硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列 4-5
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率 5-7
Vishay最新第四代600V E系列MOSFET器件问市 7-8
ST超结MOSFET帮助电桥和ZVS相移转换器实现更高效能 7
Littelfuse推出首款650V SiC肖特基二极管 8-9
一款用于高频碳化硅晶体管的八边形单元拓扑结构 9-10
Littelfuse公司宣布推出SJ系列高温SCR(硅控整流器)开关型晶闸管 10-11
Ampleon推出大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 10
三星7nm EUV工艺下半年量产2021年推3nm GAA工艺 11-12
2018年全球十大国家半导体产业发展亮点分析 12-16
14nm量产在即 中芯国际12nm工艺也取得突破 12
国外正在关注这些集成电路新技术 16-20
这项黑科技将使半导体芯片发展走上新方向 20-22企业指南
工信部:5G终端芯片预计2019年上半年推 1市场动态
尽管存在不确定性但长期来看半导体市场前景仍然光明 22-23
Technavio预测:到2023年宽带隙功率半导体器件市场的复合年增长率达到39% 23-24
Yole预测:2017-2023年GaN在电源和充电器市场发力智能手机的充电器是杀手级应用 24-26
SiC MOSFET进入主流市场功率器件新局面正式开启 26-29
SiC功率器件的市场机会与挑战 29-31
IDM厂看好MOSFET市况 31-32
GaN逐步向RF领域的发展之路 32-35
Gartner解析:2019半导体产业路在何方 35-37
全球半导体行情恶化 这些行业巨头业绩也触顶 37-38
英特尔投资70亿欧元建芯片厂发力14nm芯片需求 38-39
半导体版图渐显富士康将在济南建设功率芯片工厂 39-40
富士康准备花600亿在珠海建芯片工厂 40-41
IC Insights:大陆半导体制造困难大五年后自制率不过半 41-42
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